K4B4G1646Q vs MT41K256M16HA-125 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646Q メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-125 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4B4G1646Q K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q ✓ 生産中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646Q MT41K256M16HA-125
ブランド Samsung Electronics Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $6.36
メモリタイプ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 —
データバス幅 16 bits 16 bit
電源電圧 1.35V 1.35 V
データレート 1866 Mbps (PC3-14900) —
パッケージ 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Die Q-die —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
CASレイテンシ Programmable 11
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
メモリサイズ — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
ピン数 — 96
実装タイプ — Surface Mount
RoHS ステータス — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

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