K4B4G1646Q vs MT41K256M16HA-125 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646Q por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646Q | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,36 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | 16 bit |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latencia CAS | Programmable | 11 |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Número de pines | — | 96 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |