K4RAH165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK 比較

詳細な並列比較: K4RAH165VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH165VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCWM K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH165VB-BCWM K4RAH165VB-BCQK
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.92 $0.00
メモリタイプ DDR5 SDRAM (volatile DRAM) DDR5 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb 16 Gb
Memory Organization 1G x 16 1G x 16
Memory Interface Parallel Parallel
電源電圧 1.1 V —
Technology DDR5 —
パッケージ FBGA-106 106-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 0C to +85C 0C to +85C
Maximum Data Rate (DDR5 family) up to 7200 Mbps —
On-die ECC Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Grade (suffix BCWM) [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] —
Packaging Tray Tray
データレート — 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
特長 — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
ライフサイクル状態 — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

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