K4RAH165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,92 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Memory Interface | Parallel | Parallel |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Technology | DDR5 | — |
| Boîtier | FBGA-106 | 106-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | Tray |
| Débit de données | — | 4800 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Statut du cycle de vie | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |