K4RHE165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK 比較
詳細な並列比較: K4RHE165VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH165VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4RHE165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.00 | $0.00 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb (3 GB) | — |
| メモリ構成 | 1G x 16 | — |
| データレート | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| 電源電圧 | 1.1 V | — |
| パッケージ | 106 FBGA | 106-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| 動作温度 | 0 to 85 C | 0C to +85C |
| Product Status | Mass Production | — |
| インターフェース | DDR5 (parallel, DDR) | — |
| Access Type | Synchronous | — |
| Clock Rate (nominal) | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) | — |
| Ball Count | 106 | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] | — |
| メモリサイズ | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| 特長 | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| ライフサイクル状態 | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |