K4RHE165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RHE165VB-BCWM K4RAH165VB-BCQK
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) —
Organização da memória 1G x 16 —
Taxa de dados 5600 Mbps 4800 Mbps
Tensão de alimentação 1.1 V —
Encapsulamento 106 FBGA 106-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperatura de operação 0 to 85 C 0C to +85C
Product Status Mass Production —
Interface DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Tamanho da memória — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
Recursos — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Status do ciclo de vida — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Fichas técnicas e recursos

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