K4RHE165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RHE165VB-BCWM K4RAH165VB-BCQK
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 —
Débit de données 5600 Mbps 4800 Mbps
Tension d'alimentation 1.1 V —
Boîtier 106 FBGA 106-ball FBGA
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement 0 to 85 C 0C to +85C
Product Status Mass Production —
Interface DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
Caractéristiques — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Statut du cycle de vie — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Fiches techniques et ressources

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