K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-GF70T00 比較

詳細な並列比較: K6X0808C1D-BF70 メーカー: Samsung Electronics および K6X0808C1D-GF70T00 メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 ✗ 生産終了
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-GF70T00
ブランド Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 製造終了 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $1.85
メモリタイプ Asynchronous SRAM (CMOS) SRAM - Asynchronous
Density 256 Kbit —
メモリ構成 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 70 ns
インターフェース Parallel Parallel
Technology CMOS CMOS
パッケージ 28-SOP (PDSO28) 28-SOP
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
電源電圧 [DATA_NEEDED: Supply Voltage] 5 V
Operating Current (active) [DATA_NEEDED: Operating Current] —
Standby Current (CMOS) [DATA_NEEDED: Standby Current] —
動作温度 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Data Retention Volatile (battery-backup capable with CE control) —
I/O Type Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) Common Data I/O, TTL compatible
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Address Bus A0-A14 (15 address lines) —
メモリサイズ — 256 Kbit
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Clock / Refresh — Fully static, no clock or refresh required
Packaging — Tape & Reel (T00 suffix)

データシート&リソース

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