K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF55T00 比較

詳細な並列比較: K6X0808C1D-BF70T メーカー: Samsung Electronics および K6X0808C1D-GF55T00 メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ 生産中
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-GF55T00
ブランド Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.05 $1.05
メモリタイプ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 256 Kbit 256 Kbit
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 55 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
動作温度 -40C to +85C (TA) [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade]
パッケージ 28-SOP 28-SOP (450 mil)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
データバス幅 8 bit (I/O0-I/O7) —
Control Signals CE, OE, WE —
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリ構成 — 32K x 8
インターフェース — Parallel
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
Technology — CMOS
電源電圧 — [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
Data Retention — Low data retention voltage supported
Packaging Variant — Tape & Reel (T00 suffix)

データシート&リソース

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