K9XXG08U0M vs K9MDG08U5M 比較

詳細な並列比較: K9XXG08U0M メーカー: Samsung Electronics および K9MDG08U5M メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9XXG08U0M K9MDG08U5M
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 Obsolete 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.60 $35.50
メモリタイプ NAND Flash MLC Large Block NAND Flash
Density 8 G-bit 16 Gbit (2 GB)
メモリ構成 1G x 8 bit 16G x 8 bit
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
電源電圧 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) —
インターフェース 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) Asynchronous x8 multiplexed address/data
Page Read Time 20 us —
パッケージ 48-pin TSOP-I 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) MLC (2 bits per cell)
ECC Requirement External ECC by host controller —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Size — [DATA_NEEDED: page size]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG]

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