K9XXG08UXM vs K9HCG08U1M 比較

詳細な並列比較: K9XXG08UXM メーカー: Samsung Electronics および K9HCG08U1M メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete
Samsung Electronics
K9HCG08U1M K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9XXG08UXM K9HCG08U1M
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 Obsolete 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.00
メモリサイズ 2G x 8 Bit (2Gb) —
Memory Cell Array Organization (1G + 32M) bit x 8 bit —
Data Register (2K + 64) bit x 8 bit —
電源電圧 2.7 V to 3.6 V [DATA_NEEDED: supply voltage]
Page Size (2K + 64) Byte [DATA_NEEDED: page size]
Block Size (256K + 8K) Byte [DATA_NEEDED: block size]
Program Operation Automatic Page Program, (2K + 64) Byte —
Erase Operation Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte —
I/O Interface 8-bit multiplexed address/data/command —
Control Signals CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B —
Cell Type SLC (single-level cell) NAND —
パッケージ 48-pin TSOP TSOP-48 (PDSO48)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +105C (TA)
Access Time (tR) [DATA_NEEDED: Access Time] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Technology — MLC NAND Flash
Total Capacity — 64 Gbit
メモリ構成 — 8G x 8
データバス幅 — 8 bit
インターフェースタイプ — Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command)
Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: read time]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: program time]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]
Ready/Busy Output — Yes (R/B#)
Die Technology — Samsung E-die (per datasheet family)
Full Ordering Code — K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00

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