M29F400FB55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 比較
詳細な並列比較: M29F400FB55N3F2 メーカー: Micron Technology および M29F400FT55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29F400FB55N3F2 | M29F400FT55N3F2 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | EEPROM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.95 | $1.51 |
| メモリタイプ | NOR Flash | NOR Flash (SLC) |
| Density | 4 Mbit (4194 kbit) | — |
| メモリ構成 | 256K x 16 / 512K x 8 | 256K x 16 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 電源電圧 | 5 V | 5 V |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| 動作温度 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: min operating temperature] |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| パッケージ | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Package Quantity | 1500 units (Tape & Reel) | — |
| Active/Standby Current | [DATA_NEEDED: active and standby current] | — |
| Erase/Program Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| VIO Range | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] | — |
| RoHS ステータス | Compliant (lead-free build per F2 suffix) | — |
| メモリサイズ | — | 4 Mbit |
| Block Architecture | — | Top boot block |
| Temperature Grade | — | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) |
| Compliance Suffix | — | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) |
| Programming Voltage | — | Single supply (no 12 V VPP required) |
| Technology | — | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase |
| Max Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |