M29F400FB55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F400FB55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F400FT55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F400FB55N3F2 | M29F400FT55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.95 | $1.51 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash (SLC) |
| Density | 4 Mbit (4194 kbit) | — |
| 메모리 구성 | 256K x 16 / 512K x 8 | 256K x 16 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5 V | 5 V |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: min operating temperature] |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| 패키지 | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Package Quantity | 1500 units (Tape & Reel) | — |
| Active/Standby Current | [DATA_NEEDED: active and standby current] | — |
| Erase/Program Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| VIO Range | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free build per F2 suffix) | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Mbit |
| Block Architecture | — | Top boot block |
| Temperature Grade | — | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) |
| Compliance Suffix | — | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) |
| Programming Voltage | — | Single supply (no 12 V VPP required) |
| Technology | — | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase |
| Max Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |