M29W064FB70N3E vs M29W064FB70N3F 比較

詳細な並列比較: M29W064FB70N3E メーカー: Micron Technology および M29W064FB70N3F メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ 生産中
Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete

仕様比較

パラメータ M29W064FB70N3E M29W064FB70N3F
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Flash Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $1.20
メモリタイプ NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
メモリサイズ 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) —
電源電圧 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
インターフェース Parallel, CFI compliant Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#)
Boot Block Bottom boot block (FB variant) —
パッケージ 48-Pin TSOP 48-TSOP
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Organization Switching Byte/Word selectable via BYTE# pin —
Reset/Power-Down RP# pin —
Data Protection Block protection, WP# hardware protection —
Device Signature Electronic signature for device identification —
Packaging Tray Tape & Reel (TR suffix)
RoHS ステータス Compliant Compliant (F suffix)
Brand Source Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) —
Erase/Program Mode Word/byte program, block erase, chip erase —
Density — 64 Mbit
メモリ構成 — 8M x8 / 4M x16
Boot Block Configuration — Bottom boot block (FB)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Status Polling — RY/BY# hardware pin + data polling
Erase/Program Interface — Command set (M29W family compatible)
Part Status — Obsolete

データシート&リソース

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