M29W064FT70N3E vs M29W064FB70N3E 比較
詳細な並列比較: M29W064FT70N3E メーカー: Micron Technology および M29W064FB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29W064FT70N3E | M29W064FB70N3E |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Flash |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.00 | $0.00 |
| メモリタイプ | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash, Parallel |
| Density | 64 Mbit | — |
| メモリ構成 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | — |
| インターフェース | Parallel, CFI compliant | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 電源電圧 | 2.7 V to 3.6 V | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| 動作温度 | -40C to +85C | -40C to +125C |
| パッケージ | 48-TSOP | 48-Pin TSOP |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| メモリサイズ | — | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) |
| Boot Block | — | Bottom boot block (FB variant) |
| Organization Switching | — | Byte/Word selectable via BYTE# pin |
| Reset/Power-Down | — | RP# pin |
| Data Protection | — | Block protection, WP# hardware protection |
| Device Signature | — | Electronic signature for device identification |
| Packaging | — | Tray |
| Brand Source | — | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) |
| Erase/Program Mode | — | Word/byte program, block erase, chip erase |