M29W064FT70N3E vs M29W064FB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W064FT70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W064FB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W064FT70N3E | M29W064FB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Flash |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash, Parallel |
| Density | 64 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | — |
| 인터페이스 | Parallel, CFI compliant | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| 동작 온도 | -40C to +85C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-TSOP | 48-Pin TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| 메모리 크기 | — | 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) |
| Boot Block | — | Bottom boot block (FB variant) |
| Organization Switching | — | Byte/Word selectable via BYTE# pin |
| Reset/Power-Down | — | RP# pin |
| Data Protection | — | Block protection, WP# hardware protection |
| Device Signature | — | Electronic signature for device identification |
| Packaging | — | Tray |
| Brand Source | — | Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) |
| Erase/Program Mode | — | Word/byte program, block erase, chip erase |