M29W128GL70N3E vs M29W800FT70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W128GL70N3E メーカー: Micron Technology および M29W800FT70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ 生産中
Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W128GL70N3E M29W800FT70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Flash Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.65 $2.05
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 128 Mbit 8 Mbit
メモリ構成 16M x8 / 8M x16 1M x 8 / 512K x 16
Access Time 70 ns 70 ns
電源電圧 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) —
インターフェース Parallel Parallel, address/data bus
Boot Block Configuration Bottom boot (GL suffix) —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 56-pin TSOP 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Automotive Qualification Automotive grade ordering code (N3E) —
Bus Width Mode Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]

データシート&リソース

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