M29W160ET70N3E vs M29F160FB55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29W160ET70N3E メーカー: Micron Technology および M29F160FB55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ 生産中
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M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

仕様比較

パラメータ M29W160ET70N3E M29F160FB55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.50 $5.60
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
メモリサイズ 16 Mbit —
メモリ構成 2M x 8 / 1M x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 70 ns 55 ns
インターフェース Parallel Parallel
電源電圧 3 V / 3.3 V (nominal) 5 V
Boot Block Location Top boot —
パッケージ 48-TSOP —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 to +125 C
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
RoHS ステータス Compliant (E suffix) Compliant (lead-free)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

データシート&リソース

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