M29W160ET70N3E vs M29F160FB55N3F2 비교
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Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29W160ET70N3E | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.50 | $5.60 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | Parallel NOR Flash |
| 메모리 크기 | 16 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 2M x 8 / 1M x 16 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 공급 전압 | 3 V / 3.3 V (nominal) | 5 V |
| Boot Block Location | Top boot | — |
| 패키지 | 48-TSOP | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 to +125 C |
| Bus Width Selection | BYTE# pin, x8 or x16 | — |
| Sector Protection | Hardware boot block protection | — |
| Programming Type | Automatic program and erase | — |
| Packing | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (E suffix) | Compliant (lead-free) |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Density | — | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |