M29W160ET70N3E vs M29W160EB70N3F 比較

詳細な並列比較: M29W160ET70N3E メーカー: Micron Technology および M29W160EB70N3F メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ 生産中
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M29W160EB70N3F M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W160ET70N3E M29W160EB70N3F
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.50 $1.01
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) FLASH - NOR
メモリサイズ 16 Mbit 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
メモリ構成 2M x 8 / 1M x 16 —
Access Time 70 ns 70 ns
インターフェース Parallel Parallel (Byte/Word-wide)
電源電圧 3 V / 3.3 V (nominal) —
Boot Block Location Top boot —
パッケージ 48-TSOP —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
RoHS ステータス Compliant (E suffix) —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Boot Block Position — Bottom boot block
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
パッケージ / ケース — 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tape & Reel
Qualification — Automotive, AEC-Q100
Erase Architecture — Block erase (boot block + main blocks)
Common Flash Interface — Yes (CFI compliant)
Reset Input — RESET# hardware reset pin
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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