M29W160ET70N3E vs M29W160EB70N3F 비교
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Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29W160ET70N3E | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.50 | $1.01 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 16 Mbit | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| 메모리 구성 | 2M x 8 / 1M x 16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (Byte/Word-wide) |
| 공급 전압 | 3 V / 3.3 V (nominal) | — |
| Boot Block Location | Top boot | — |
| 패키지 | 48-TSOP | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bus Width Selection | BYTE# pin, x8 or x16 | — |
| Sector Protection | Hardware boot block protection | — |
| Programming Type | Automatic program and erase | — |
| Packing | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (E suffix) | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| 패키지 / 케이스 | — | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Qualification | — | Automotive, AEC-Q100 |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |