M29W320DT70N3F vs M29W800FT70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W320DT70N3F メーカー: Micron Technology および M29W800FT70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F ✓ 生産中
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M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W320DT70N3F M29W800FT70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.95 $2.05
メモリタイプ FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
メモリサイズ 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) —
Access Speed 70 ns —
インターフェース Parallel (Byte-wide) Parallel, address/data bus
Supply Voltage - VCC 2.7 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Boot Block Organization Top boot block (DT suffix) —
Block Architecture Non-uniform parameter blocks —
パッケージ / ケース 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Temperature Grade Automotive —
Max Seated Height 1.2 mm —
Number of Terminals 48 —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Write Cycle - Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Density — 8 Mbit
メモリ構成 — 1M x 8 / 512K x 16
Access Time — 70 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
動作温度 — -40C to +125C
パッケージ — 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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