M29W320DT70N3F vs M29W800FT70N3E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W320DT70N3F por Micron Technology e M29W800FT70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F ✓ Ativo
Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W320DT70N3F M29W800FT70N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Flash
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,95 $2,05
Tipo de memória FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
Tamanho da memória 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) —
Access Speed 70 ns —
Interface Parallel (Byte-wide) Parallel, address/data bus
Supply Voltage - VCC 2.7 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Boot Block Organization Top boot block (DT suffix) —
Block Architecture Non-uniform parameter blocks —
Encapsulamento / Caixa 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Temperature Grade Automotive —
Max Seated Height 1.2 mm —
Number of Terminals 48 —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Write Cycle - Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Density — 8 Mbit
Organização da memória — 1M x 8 / 512K x 16
Access Time — 70 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Temperatura de operação — -40C to +125C
Encapsulamento — 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Fichas técnicas e recursos

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