M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3E 比較

詳細な並列比較: M29W400FT55N3E メーカー: Micron Technology および M29W400FB55N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ 生産中
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M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W400FT55N3E M29W400FB55N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.80 $0.00
メモリタイプ Flash - NOR Memory IC NOR Flash (parallel)
メモリサイズ 4 Mbit —
インターフェース Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
パッケージ 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
湿気感度レベル(MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray Tray
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
メモリ構成 — 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Block Architecture — 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
RoHS ステータス — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

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