M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W400FT55N3E от Micron Technology и M29W400FB55N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W400FT55N3E M29W400FB55N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs EEPROM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,80 $0,00
Тип памяти Flash - NOR Memory IC NOR Flash (parallel)
Размер памяти 4 Mbit —
Интерфейс Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
Корпус 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray Tray
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
Организация памяти — 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Block Architecture — 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Статус RoHS — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену