M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W400FT55N3E 제조: Micron Technology 및 M29W400FB55N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W400FT55N3E M29W400FB55N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs EEPROM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.80 $0.00
메모리 유형 Flash - NOR Memory IC NOR Flash (parallel)
메모리 크기 4 Mbit —
인터페이스 Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
패키지 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
습도 민감도 레벨 (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray Tray
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
메모리 구성 — 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Block Architecture — 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
RoHS 상태 — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

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