M29W400FT55N3F vs M29F800FB55M3F2 比較

詳細な並列比較: M29W400FT55N3F メーカー: Micron Technology および M29F800FB55M3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ 生産中
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M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W400FT55N3F M29F800FB55M3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.92 $3.72
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash, Parallel
メモリサイズ 4 Mbit —
インターフェース Parallel Parallel, Asynchronous
Access Time 55 ns 55 ns
Bus Configuration x8 / x16 (BYTE-selectable) —
メモリ構成 4Mbit, block-organized, top boot block 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Program/Erase Block erase, word/byte program —
パッケージ 48-TSOP I 44-pin SO (SOIC-44)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
電源電圧 [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Suspend/Resume Erase/program suspend and resume —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Prefix F in MPN Pb-free package suffix —
Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)

データシート&リソース

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