M29W400FT55N3F vs M29F800FB55M3F2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W400FT55N3F 제조: Micron Technology 및 M29F800FB55M3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W400FT55N3F | M29F800FB55M3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.92 | $3.72 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| 메모리 크기 | 4 Mbit | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, Asynchronous |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Bus Configuration | x8 / x16 (BYTE-selectable) | — |
| 메모리 구성 | 4Mbit, block-organized, top boot block | 512K x 16-bit / 1M x 8-bit |
| Program/Erase | Block erase, word/byte program | — |
| 패키지 | 48-TSOP I | 44-pin SO (SOIC-44) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | — |
| Suspend/Resume | Erase/program suspend and resume | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Prefix F in MPN | Pb-free package suffix | — |
| Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Number of Words | — | 512 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Type | — | Bottom Boot Block |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| OTP Area | — | 64 byte |
| Automotive Qualification | — | Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |