M29W800FB70N3E vs M29F800FT55N3E2 比較

詳細な並列比較: M29W800FB70N3E メーカー: Micron Technology および M29F800FT55N3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ 生産中
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M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W800FB70N3E M29F800FT55N3E2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $4.98
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8388608 bits) 8389 kbits
メモリ構成 512K x 16 / 1M x 8 —
データバス幅 x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
インターフェース Parallel Parallel
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I
ピン数 48 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
電源電圧 — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

データシート&リソース

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