M29W800FB70N3E vs M29F800FT55N3E2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W800FB70N3E por Micron Technology e M29F800FT55N3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W800FB70N3E | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,95 | $4,98 |
| Tipo de memória | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8388608 bits) | 8389 kbits |
| Organização da memória | 512K x 16 / 1M x 8 | — |
| Largura do barramento de dados | x8/x16 (BYTE# selectable) | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase and read | — |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| Memory Blocks | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulamento | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I | 48-TSOP I |
| Contagem de pinos | 48 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | RoHS compliant (plastic TSOP-48) | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| Tensão de alimentação | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Program/Erase Endurance | — | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | — | >20 years (typical for family) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |