M29W800FB70N3E vs M29W800FB70ZA3SE 比較

詳細な並列比較: M29W800FB70N3E メーカー: Micron Technology および M29W800FB70ZA3SE メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ 生産中
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M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete

仕様比較

パラメータ M29W800FB70N3E M29W800FB70ZA3SE
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $1.12
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
メモリ構成 512K x 16 / 1M x 8 1 M x 8 / 512 K x 16
データバス幅 x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
インターフェース Parallel Parallel, address/data bus
動作温度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TFBGA (6 x 8 mm)
ピン数 48 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス RoHS compliant (plastic TSOP-48) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
メモリサイズ — 8 Mbit
電源電圧 — 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class)
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot block (FB)
Qualification — AEC-Q100 automotive
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

データシート&リソース

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