M29W800FB70N3E vs M29W800FB70ZA3SE 비교
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Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron
M29W800FB70ZA3SE Obsolete사양 비교
| 파라미터 | M29W800FB70N3E | M29W800FB70ZA3SE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.95 | $1.12 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 8 Mbit (8388608 bits) | — |
| 메모리 구성 | 512K x 16 / 1M x 8 | 1 M x 8 / 512 K x 16 |
| 데이터 버스 폭 | x8/x16 (BYTE# selectable) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase and read | — |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| Memory Blocks | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, address/data bus |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I | 48-TFBGA (6 x 8 mm) |
| 핀 수 | 48 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | RoHS compliant (plastic TSOP-48) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Mbit |
| 공급 전압 | — | 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) |
| Technology | — | SLC NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot block (FB) |
| Qualification | — | AEC-Q100 automotive |
| Packaging | — | Tray |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: ICC standby] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL] |