M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70ZA3SF 比較
詳細な並列比較: M29W800FB70ZA3SE メーカー: Micron Technology および M29W800FB70ZA3SF メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron
M29W800FB70ZA3SE Obsolete仕様比較
| パラメータ | M29W800FB70ZA3SE | M29W800FB70ZA3SF |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | Obsolete | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.12 | $2.45 |
| メモリタイプ | NOR Flash, Parallel | — |
| メモリサイズ | 8 Mbit | — |
| メモリ構成 | 1 M x 8 / 512 K x 16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 電源電圧 | 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) | — |
| Technology | SLC NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot block (FB) | — |
| インターフェース | Parallel, address/data bus | — |
| パッケージ | 48-TFBGA (6 x 8 mm) | 48-TFBGA (6x8) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 automotive | — |
| Packaging | Tray | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ICC standby] | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Mb (1 MB) |
| Memory Organization | — | 1M x 8 / 512K x 16 |
| インターフェースタイプ | — | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (FB) |
| Ball Pitch | — | [DATA_NEEDED: ball pitch] |
| Byte/Word Organization Pin | — | Yes (BYTE pin selects x8/x16) |
| Programming Time | — | [DATA_NEEDED: programming time] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| XIP Support | — | Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) |
| Reel Option | — | Available (M29W800FB70ZA3SF TR) |