M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70ZA3SF 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W800FB70ZA3SE 제조: Micron Technology 및 M29W800FB70ZA3SF 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SF
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 Obsolete 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.12 $2.45
메모리 유형 NOR Flash, Parallel —
메모리 크기 8 Mbit —
메모리 구성 1 M x 8 / 512 K x 16 —
Access Time 70 ns 70 ns
공급 전압 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) —
Technology SLC NOR —
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
인터페이스 Parallel, address/data bus —
패키지 48-TFBGA (6 x 8 mm) 48-TFBGA (6x8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q100 automotive —
Packaging Tray —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby] —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 8 Mb (1 MB)
Memory Organization — 1M x 8 / 512K x 16
인터페이스 유형 — Parallel
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Boot Block Location — Bottom boot (FB)
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch]
Byte/Word Organization Pin — Yes (BYTE pin selects x8/x16)
Programming Time — [DATA_NEEDED: programming time]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
XIP Support — Yes (parallel random-access, execute-in-place capable)
Reel Option — Available (M29W800FB70ZA3SF TR)

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