M29W800FT70N3E vs M29W400FT55N3E 比較
詳細な並列比較: M29W800FT70N3E メーカー: Micron Technology および M29W400FT55N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29W800FT70N3E | M29W400FT55N3E |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Flash | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.05 | $2.80 |
| メモリタイプ | NOR Flash (Parallel) | Flash - NOR Memory IC |
| Density | 8 Mbit | — |
| メモリ構成 | 1M x 8 / 512K x 16 | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| インターフェース | Parallel, address/data bus | Parallel |
| 動作温度 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| パッケージ | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 48-TSOP I |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| メモリサイズ | — | 4 Mbit |
| Sector Size | — | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) |
| Boot Block Position | — | Top (FT suffix) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 48 |
| Package Code / Shape | — | TSSOP / Rectangular |
| 湿気感度レベル（MSL） | — | 3 (168 Hours) |
| Packaging | — | Tray |
| Peak Reflow Time | — | 30 s max |
| Companion Access-Time Grade | — | 55 ns and 70 ns versions available in family |