M29W800FT70N3E vs M29W400FT55N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W800FT70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W400FT55N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W800FT70N3E | M29W400FT55N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Flash | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.05 | $2.80 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | Flash - NOR Memory IC |
| Density | 8 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 1M x 8 / 512K x 16 | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| 인터페이스 | Parallel, address/data bus | Parallel |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 48-TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Mbit |
| Sector Size | — | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) |
| Boot Block Position | — | Top (FT suffix) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 48 |
| Package Code / Shape | — | TSSOP / Rectangular |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | — | 3 (168 Hours) |
| Packaging | — | Tray |
| Peak Reflow Time | — | 30 s max |
| Companion Access-Time Grade | — | 55 ns and 70 ns versions available in family |