M29W800FT70N3E vs M29W800FB70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W800FT70N3E メーカー: Micron Technology および M29W800FB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ 生産中
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M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W800FT70N3E M29W800FB70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Flash Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.05 $0.95
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 8 Mbit 8 Mbit (8388608 bits)
メモリ構成 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
Programming / Erase Supply Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) —
Boot Block Location Top boot block (FT variant) —
Bus Width 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) —
インターフェース Parallel, address/data bus Parallel
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Block Organization [DATA_NEEDED: block size/organization] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (plastic TSOP-48)
データバス幅 — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
ピン数 — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

データシート&リソース

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