M29W800FT70N3E vs M29W800FB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W800FT70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W800FB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W800FT70N3E | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Flash | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.05 | $0.95 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit | 8 Mbit (8388608 bits) |
| 메모리 구성 | 1M x 8 / 512K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| 인터페이스 | Parallel, address/data bus | Parallel |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| 데이터 버스 폭 | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| 핀 수 | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |