M321R4GA3EB0-CWM vs M321R4GA3EB2-CWM 比較

詳細な並列比較: M321R4GA3EB0-CWM メーカー: Samsung Electronics および M321R4GA3EB2-CWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM ✓ 生産中
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M321R4GA3EB2-CWM M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

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M321R4GA3EB2-CWM ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB2-CWM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1,489.00 $1,260.00
Capacity 32 GB —
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM)
Form Factor 288-pin DIMM 288-pin RDIMM
Module Type ECC Registered DIMM (RDIMM) —
データレート 5600 MT/s (PC5-44800) 5600 MT/s (PC5-44800)
CASレイテンシ CL46 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank Configuration 2Rx8 (Dual Rank) —
メモリ構成 4Gx72 2Rx8 (dual rank, x8)
DRAM Composition 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components
ECC Yes (Registered with ECC) —
Configuration 1 x 32 GB —
Bandwidth Class PC5-44800 (44800 MB/s) —
Application Segment Server / Datacenter —
ブランド Samsung Electronics —
GTIN / EAN 5715328154490 —
Memory Capacity — 32 GB
Ranks — 2
Error Correction — On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC
DRAM Die — E-die (12nm-class process)
JEDEC Compliance — JEDEC PC5-44800R compliant
Module Supply — 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail)
Compatible Platforms — Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers
RoHS ステータス — Compliant
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Peak Bandwidth — Approx. 44.8 GB/s per module

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