M321R4GA3EB0-CWM vs M321R4GA3EB2-CWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M321R4GA3EB0-CWM par Samsung Electronics et M321R4GA3EB2-CWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M321R4GA3EB0-CWM | M321R4GA3EB2-CWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | EEPROM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1 489,00 | $1 260,00 |
| Capacity | 32 GB | — |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM) |
| Form Factor | 288-pin DIMM | 288-pin RDIMM |
| Module Type | ECC Registered DIMM (RDIMM) | — |
| Débit de données | 5600 MT/s (PC5-44800) | 5600 MT/s (PC5-44800) |
| Latence CAS | CL46 | CL46 |
| Operating Voltage | 1.1 V | 1.1 V |
| Rank Configuration | 2Rx8 (Dual Rank) | — |
| Organisation de la mémoire | 4Gx72 | 2Rx8 (dual rank, x8) |
| DRAM Composition | 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM | 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components |
| ECC | Yes (Registered with ECC) | — |
| Configuration | 1 x 32 GB | — |
| Bandwidth Class | PC5-44800 (44800 MB/s) | — |
| Application Segment | Server / Datacenter | — |
| Marque | Samsung Electronics | — |
| GTIN / EAN | 5715328154490 | — |
| Memory Capacity | — | 32 GB |
| Ranks | — | 2 |
| Error Correction | — | On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC |
| DRAM Die | — | E-die (12nm-class process) |
| JEDEC Compliance | — | JEDEC PC5-44800R compliant |
| Module Supply | — | 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail) |
| Compatible Platforms | — | Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Peak Bandwidth | — | Approx. 44.8 GB/s per module |