MRF5S21130HSR5 vs MRF5S21100HSR5 比較

詳細な並列比較: MRF5S21130HSR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRF5S21100HSR5 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF5S21130HSR5 MRF5S21130HSR5 - 28W RF LDMOS 2.11-2.17GHz NI-880S | NXP

MRF5S21130HSR5 - 28W RF LDMOS 2.11-2.17GHz NI-880S | NXP

MRF5S21130HSR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF5S21100HSR5 MRF5S21100HSR5 - 23W RF Power MOSFET 2.17GHz NI-780S | NXP

MRF5S21100HSR5 - 23W RF Power MOSFET 2.17GHz NI-780S | NXP

MRF5S21100HSR5 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF5S21130HSR5 MRF5S21100HSR5
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 Obsolete 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $33.40 $19.80
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale, Motorola) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number MRF5S21130HSR5 —
トランジスタタイプ LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel RF Power MOSFET
Series RF MOSFET Line / HV5 —
Operating Frequency 2.11 GHz to 2.17 GHz 2.16 GHz to 2.17 GHz
Test Voltage (Vdd) 28 V —
Test Current (Idq) 1.2 A —
Power Output (Pout) 28 W (CW) —
Power Gain 13.5 dB (typical) 13.5 dB (typical)
Drain-Source Voltage (Vdss Rated) 65 V —
パッケージ / ケース NI-880S ceramic NI-780S (ceramic flange-mount)
実装タイプ Surface Mount (SMT) with ceramic body Chassis / Flange Mount (through-hole RF)
Application W-CDMA base station, TDMA/CDMA, multi-carrier amplifier —
Status Obsolete (last-time-buy windows closed at authorized distributors) —
Tape and Reel Pack R5 suffix = 500-piece reel —
Orderable Lead-Free Status [DATA_NEEDED: lead-free status from NXP PCN] —
Part Status — Active
Technology — LDMOS (Laterally Diffused MOS)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) Max — 65 V
Test Supply Voltage — 28 V
Output Power (Pout) — 23 W (CW)
Drain Current (Id) — 1.05 A
動作温度範囲 — -40C to +150C (junction)
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status from NXP product page]
Lead-Free — [DATA_NEEDED: lead-free finish]

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