MRF6S27050HR5 vs MRF6S21060NBR1 比較

詳細な並列比較: MRF6S27050HR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRF6S21060NBR1 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF6S27050HR5 MRF6S27050HR5 - 2.62 GHz RF Power LDMOS, 7W, NI-780H | NXP

MRF6S27050HR5 - 2.62 GHz RF Power LDMOS, 7W, NI-780H | NXP

MRF6S27050HR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF6S21060NBR1 MRF6S21060NBR1 - 14W, 2.11-2.17GHz RF LDMOS | NXP

MRF6S21060NBR1 - 14W, 2.11-2.17GHz RF LDMOS | NXP

MRF6S21060NBR1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF6S27050HR5 MRF6S21060NBR1
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 Obsolete 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $17.50 $21.40
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
トランジスタタイプ LDMOS, N-Channel, RF Power LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode
Part Status Obsolete —
Frequency 2.62 GHz (operating band) —
Test Voltage (Vds) 28 V —
Current Rating [DATA_NEEDED: continuous/maximum drain current] —
Test Current 500 mA —
Power Gain (Gps) 16 dB (typical at 2.62 GHz) —
Power Output 7 W —
Voltage - Rated (Vds max) 68 V —
パッケージ / ケース NI-780H-2L —
Supplier Device Package NI-780 —
実装タイプ Chassis Mount / Screw Flange Surface Mount / Flange Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
MSLレベル Not applicable (non-surface-mount ceramic package) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] compliant
Primary Application WCDMA / UMTS base-station PA driver and final stage —
Technology — RF Power Field Effect Transistor
Drain-Source Voltage (Rated) — 68 V
Operating Frequency Range — 2110 MHz to 2170 MHz
Test Frequency — 2.12 GHz
Test Drain Voltage (VDD) — 28 V
Test Quiescent Current (IDQ) — 1600 mA
Power Gain — 15.5 dB
Output Power (Avg, Single-Carrier W-CDMA) — 14 W
Power Added Efficiency — [DATA_NEEDED: PAE %]
Operating Mode — Class AB
パッケージ — TO-272 WB-4 (ceramic flanged)
Lead Free — yes
Target Application — W-CDMA base station final stage

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