MRF6S27085HR3 vs MRF6S27085HR5 比較

詳細な並列比較: MRF6S27085HR3 メーカー: NXP Semiconductors および MRF6S27085HR5 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF6S27085HR3 MRF6S27085HR3 - 20W RF Power MOSFET, 2.6-2.7GHz, 28V LDMOS

MRF6S27085HR3 - 20W RF Power MOSFET, 2.6-2.7GHz, 28V LDMOS

MRF6S27085HR3 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MRF6S27085HR5 MRF6S27085HR5 - 20W RF Power LDMOS 2.7GHz NI-780 | NXP

MRF6S27085HR5 - 20W RF Power LDMOS 2.7GHz NI-780 | NXP

MRF6S27085HR5 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF6S27085HR3 MRF6S27085HR5
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $23.75 $21.85
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Part Number MRF6S27085HR3 —
トランジスタタイプ LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral LDMOS, N-Channel RF Power
Application RF Power Amplifier W-CDMA / multi-carrier base-station PA
Operating Frequency 2600 MHz to 2700 MHz —
Test Frequency 2.66 GHz 2660 MHz
Output Power (Average, P1dB-rated) 20 W —
Power Gain (Typ) 15.5 dB —
Drain-Source Voltage Rating 68 V —
Operating Drain Voltage 28 V —
Quiescent Bias Current (Test) 900 mA —
パッケージ / ケース NI-780H-2L (CASE 465-06, STYLE 1), ceramic flange mount NI-780H-2L (ceramic acorn)
ピン数 3 (Drain, Gate, Source) 2-lead + flange
実装タイプ Flange / Chassis mount with bolt-down thermal pad Chassis / Flange Mount
Packaging Tape & Reel (suffix HR3) —
Technology Lateral DMOS (LDMOS) HV6 LDMOS
RoHS ステータス Compliant per Freescale/NXP material declaration Compliant (per distributor listing)
Rated Drain-Source Voltage (Vdss) — 68 V
Test Supply Voltage (Vdd) — 28 V
Test Quiescent Current (Idq) — 900 mA
Operating Frequency Range — 2500 MHz to 2700 MHz
Output Power (Pout) — 20 W (CW)
Small-Signal Gain — 15.5 dB at 2.66 GHz
Lead Free Status — Lead-free (per distributor listing)
Peak Reflow Temperature — 260 C
Time at Peak Reflow — 40 s maximum

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