MRF6S27085HR5 vs MRF6S23140HR3 比較

詳細な並列比較: MRF6S27085HR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRF6S23140HR3 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF6S27085HR5 MRF6S27085HR5 - 20W RF Power LDMOS 2.7GHz NI-780 | NXP

MRF6S27085HR5 - 20W RF Power LDMOS 2.7GHz NI-780 | NXP

MRF6S27085HR5 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HR3 - 28W, 2.3GHz RF Power LDMOS | NXP Semiconductors

MRF6S23140HR3 - 28W, 2.3GHz RF Power LDMOS | NXP Semiconductors

MRF6S23140HR3 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF6S27085HR5 MRF6S23140HR3
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $21.85 $65.00
トランジスタタイプ LDMOS, N-Channel RF Power LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode
Technology HV6 LDMOS Lateral N-Channel RF Power MOSFET
Rated Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V —
Test Supply Voltage (Vdd) 28 V —
Test Quiescent Current (Idq) 900 mA —
Operating Frequency Range 2500 MHz to 2700 MHz 2300 MHz to 2400 MHz
Test Frequency 2660 MHz 2.39 GHz
Output Power (Pout) 20 W (CW) —
Small-Signal Gain 15.5 dB at 2.66 GHz —
パッケージ / ケース NI-780H-2L (ceramic acorn) NI-880H-2L (CASE 465B-03, STYLE 1)
実装タイプ Chassis / Flange Mount Chassis / Flange Mount
ピン数 2-lead + flange —
Lead Free Status Lead-free (per distributor listing) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Time at Peak Reflow 40 s maximum —
RoHS ステータス Compliant (per distributor listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Application W-CDMA / multi-carrier base-station PA —
Drain-Source Voltage (Rated) — 68 V
Operating Drain Voltage (Typical) — 28 V
Test Quiescent Drain Current — 1.3 A
Output Power (Average, 2 x W-CDMA) — 28 W
Power Gain — 15.2 dB
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
Configuration — Single, push-pull capable
Input Matching — Internally matched (per datasheet)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — [DATA_NEEDED: lead-free status]

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