MRF8HP21080HR5 vs MRF8HP21130HR5 比較

詳細な並列比較: MRF8HP21080HR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRF8HP21130HR5 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF8HP21080HR5 MRF8HP21080HR5 - 16W 2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8HP21080HR5 - 16W 2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8HP21080HR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF8HP21130HR5 MRF8HP21130HR5 - 130W LDMOS RF Power Transistor | NXP | LTE/W-CDMA

MRF8HP21130HR5 - 130W LDMOS RF Power Transistor | NXP | LTE/W-CDMA

MRF8HP21130HR5 Obsolete

仕様比較

パラメータ MRF8HP21080HR5 MRF8HP21130HR5
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 Obsolete Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $88.00 $65.00
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
トランジスタタイプ LDMOS, N-Channel, Dual (2 elements) LDMOS, N-Channel, Dual
Configuration Common Source, 2 Elements Common Source, 2 Elements
Frequency 2.17 GHz (2110–2170 MHz cellular band) —
Test Voltage 28 V —
Test Current 150 mA —
Power Gain 14.4 dB at 2.17 GHz 14 dB
Output Power (Avg.) 16 W (W-CDMA/LTE) —
Drain-Source Voltage Rating 65 V —
パッケージ / ケース NI-780-4 (Case 465M) NI-780-4 (ceramic flange)
実装タイプ Flange Mount / Chassis Mount Surface Mount / Chassis Mount (flange)
Number of Terminals 4 —
Technology W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET HV8 Lateral MOSFET
Surface Mount No (flange mount) —
Peak Reflow Temperature 260 C (not applicable - flange mount) —
Part Status (DigiKey) Discontinued at Digi-Key —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) Rated — 65 V
Test Conditions Voltage — 28 V
Test Conditions Current (Idq) — 360 mA
Operating Frequency Range — 2110 MHz to 2170 MHz
Center Test Frequency — 2.17 GHz
Output Power (CW, Test) — 28 W
Maximum Power Dissipation — 118 W
Supplier Device Package — NI-780-4
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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