MRFG35010AR5 vs MRFG35010NT1 比較

詳細な並列比較: MRFG35010AR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRFG35010NT1 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRFG35010AR5 MRFG35010AR5 - 3.5 GHz pHEMT RF Power FET, 10dB Gain | NXP

MRFG35010AR5 - 3.5 GHz pHEMT RF Power FET, 10dB Gain | NXP

MRFG35010AR5 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MRFG35010NT1 MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 Obsolete

仕様比較

パラメータ MRFG35010AR5 MRFG35010NT1
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ Transistors MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $38.40 $25.95
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
トランジスタタイプ pHEMT GaAs RF Power FET (N-Channel) GaAs pHEMT RF Power FET
Frequency 3.55 GHz (typical), 3.4-3.8 GHz band —
Drain Voltage (Vds) Rated 15 V —
Drain Current Rating 2.9 A (pulsed) —
Quiescent Drain Current (Idq) 140 mA —
Output Power (Pout) 1 W (CW) —
Power Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Technology GaAs pseudomorphic HEMT —
パッケージ NI-360HF (ceramic flange, surface mount) —
実装タイプ Surface Mount (with bolted heatsink) Chassis-mount / flange-bolt
Operating Mode Class AB (typical RF PA) —
Configuration Single N-channel die Unmatched, common source
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Part Number — MRFG35010NT1
Drain-Source Voltage Rating (Vds) — 15 V
Continuous Drain Current Rating — 2.9 A
Operating Frequency — 3.55 GHz
Frequency Range — 1.8 GHz to 3.6 GHz
Test Voltage — 12 V
Test Current (quiescent) — 180 mA
Associated Power Gain — 10 dB at 3.55 GHz
Output Power — 9 W at 3.55 GHz
Class of Operation — Class AB linear
パッケージ / ケース — PLD-1.5 flanged ceramic
Supplier Device Package — PLD-1.5
Lead Free Status — Lead free (per datasheet)

データシート&リソース

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