MT40A1G16KNR-075-IT-E vs K4A8G165WB-BCRC 比較
詳細な並列比較: MT40A1G16KNR-075-IT-E メーカー: Micron Technology および K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A1G16KNR-075-IT-E - 16Gb DDR4-2666 1Gx16 SDRAM | Micron
MT40A1G16KNR-075-IT-E Obsolete
仕様比較
| パラメータ | MT40A1G16KNR-075-IT-E | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | Obsolete | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $55.80 | $12.57 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| メモリ構成 | 1G × 16 | — |
| Speed Grade | -075 (DDR4-2666, 2666 MT/s) | — |
| 最大クロック周波数 | 1.33 GHz | — |
| CAS Latency Timing | 19 ns (CL19) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V nominal (1.14 V–1.26 V) | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Word VPP | 2.5 V | — |
| 動作温度 | 0 °C to +95 °C (Industrial) | -40C to +95C |
| パッケージ | 96-ball FBGA (7.5 mm × 13.5 mm × 1.1 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Architecture | Dual-Die Package (DDP) | — |
| JEDEC Standard | JESD79-4 (DDR4) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| メモリサイズ | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| データレート | — | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| 電源電圧 | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| インターフェース | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |