MT40A1G16KNR-075-IT-E vs K4A8G165WB-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A1G16KNR-075-IT-E 제조: Micron Technology 및 K4A8G165WB-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A1G16KNR-075-IT-E - 16Gb DDR4-2666 1Gx16 SDRAM | Micron
MT40A1G16KNR-075-IT-E Obsolete
사양 비교
| 파라미터 | MT40A1G16KNR-075-IT-E | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $55.80 | $12.57 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| 메모리 구성 | 1G × 16 | — |
| Speed Grade | -075 (DDR4-2666, 2666 MT/s) | — |
| 최대 클록 주파수 | 1.33 GHz | — |
| CAS Latency Timing | 19 ns (CL19) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V nominal (1.14 V–1.26 V) | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Word VPP | 2.5 V | — |
| 동작 온도 | 0 °C to +95 °C (Industrial) | -40C to +95C |
| 패키지 | 96-ball FBGA (7.5 mm × 13.5 mm × 1.1 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Architecture | Dual-Die Package (DDP) | — |
| JEDEC Standard | JESD79-4 (DDR4) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | — | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| 인터페이스 | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |