MT40A1G8SA-062E vs H5AN8G8NDJR-XNC 比較

詳細な並列比較: MT40A1G8SA-062E メーカー: Micron Technology および H5AN8G8NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A1G8SA-062E H5AN8G8NDJR-XNC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.05 $24.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
メモリ構成 1G x 8 —
データレート 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz (I/O clock)
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
動作温度 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
パッケージ 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
特長 Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
メモリサイズ — 8 Gbit (1 G x 8)
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Operating Temperature (TC) — 0°C to +95°C
Memory Organization — 1G x 8
インターフェース — Parallel
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Packaging — Tray
Status — Active

データシート&リソース

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