MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: MT40A1G8SA-075:E メーカー: Micron Technology および K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.30 | $6.50 |
| メモリタイプ | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8Gbit (1G x 8) | 8 Gb |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| データレート | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| パッケージ | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 動作温度 | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |